半导体材料杂质浓度的深度分布研究任务书

 2021-10-13 07:10

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

一.毕业论文的内容:

半导体是一种导电性能介于金属和绝缘体之间的材料,其具有较小的禁带宽度,允许电子在获得足够能量时从价带跃迁到导带。这种行为在半导体被加热时发生,因而其导电性随温度增加而升高。典型的半导体材料包括硅、锗等,这些半导体中没有杂质原子和缺陷,称为本征半导体,其载流子由本征激发获得,常温下本征半导体的电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,很难对半导体特性进行控制,实际应用不多。当半导体中掺入少量杂质后,其结构和电导率会发生相应改变,形成实用的半导体,这个过程被称为掺杂。

掺杂是把杂质引入半导体材料的晶体结构中,以改变其电学性能的一种方法。它是制备半导体器件中p-n结的基础,目前,在半导体行业中最主要的掺杂工艺是离子注入技术。

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2. 参考文献

[1] 王蔚,田丽等.集成电路制造技术原理与工艺[M].北京:电子工业出版社,2010.

[2] Michael Quirk, Julian Serda.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2009.

[3] 李薇薇,王胜利等.微电子工艺基础[M].北京:化学工业出版社,2006.

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