1. 毕业设计（论文）的内容和要求
本课题通过密度泛函理论(DFT)，研究应变对CrSnTe3二维材料的电磁学性质的调控。
在本征CrSnTe3能带和态密度正确的基础上，对其施加应变，进一步研究的电磁学性质，为CrSnTe3材料在自旋纳米器件方面的应用提供指导。
毕业论文的内容和要求如下：（1）在第1章引言部分，通过文献阅读和总结分析，给出如下内容：Cr2Ge2Te6和CrSnTe3等铁磁二维材料的研究背景，较低的居里温度限制了其在自旋纳米器件的应用。
2. 参考文献
根据毕业要求，毕设期间要进行研究现状调查与总结，要求在开题报告及毕业设计（论文）中涉及的英文文献不少于20篇，其中近5年不少于8篇，英文文献不少于5篇。
以下是与本课题相关的部分文献列表：[1] Mukherjee T, Chowdhury S, Jana D, et al. Strain induced electronic and magnetic properties of 2D magnet CrI3: a DFT approach[J]. Journal of Physics: Condensed Matter, 2019, 31(33): 335802.[2] Kou L, Du A, Chen C, et al. Strain engineering of selective chemical adsorption on monolayer MoS2[J]. Nanoscale, 2014, 6(10): 5156-5161.[3] Li X, Yang J. CrXTe3 (X= Si, Ge) nanosheets: two dimensional intrinsic ferromagnetic semiconductors[J]. Journal of Materials Chemistry C, 2014, 2(34): 7071-7076.[4] Mermin N D, Wagner H. Absence of ferromagnetism or antiferromagnetism in one-or two-dimensional isotropic Heisenberg models[J]. Physical Review Letters, 1966, 17(22): 1133. [5] Len-Brito N, Bauer E D, Ronning F, et al. Magnetic microstructure and magnetic properties of uniaxial itinerant ferromagnet Fe3GeTe2[J]. Journal of Applied Physics, 2016, 120(8): 083903. [6] Gong C, Li L, Li Z, et al. Discovery of intrinsic ferromagnetism in two-dimensional van der Waals crystals[J]. Nature, 2017, 546(7657): 265.[7] Huang B, Clark G, Navarro-Moratalla E, et al. Layer-dependent ferromagnetism in a van der Waals crystal down to the monolayer limit[J]. Nature, 2017, 546(7657): 270.[8] Song T, Cai X, Tu M W Y, et al. Giant tunneling magnetoresistance in spin-filter van der Waals heterostructures[J]. Science, 2018, 360(6394): 1214-1218. [9] Klein D R, MacNeill D, Lado J L, et al. Probing magnetism in 2D van der Waals crystalline insulators via electron tunneling[J]. Science, 2018, 360(6394): 1218-1222. [10] Jiang S, Li L, Wang Z, et al. Controlling magnetism in 2D CrI3 by electrostatic doping[J]. Nature nanotechnology, 2018, 13(7): 549. [11] Li Y, Hu Z, Lin S, et al. Giant anisotropic Raman response of encapsulated ultrathin black phosphorus by uniaxial strain[J]. Adva[12] Wang Y, Cong C, Qiu C, et al. Raman spectroscopy study of lattice vibration and crystallographic orientation of monolayer MoS2 under uniaxial strain[J]. small, 2013, 9(17): 2857-2861.[13] Deng Y, Yu Y, Song Y, et al. Gate-tunable room-temperature ferromagnetism in two-dimensional Fe3GeTe2[J]. Nature, 2018, 563(7729): 94.[14] Fei Z, Huang B, Malinowski P, et al. Two-dimensional itinerant ferromagnetism in atomically thin Fe3GeTe2[J]. Nature materials, 2018, 17(9): 778.[15] 薛松, 孙学伟, 何宗彦. 铁磁材料不同应变状态下的磁特性实验研究[J]. 力学与实践, 1999, 21(5): 25-27.[16]何开华, 陈琦丽, 王清波, 等. 应变和 C 掺杂对单层 BN 纳米片的电子结构和磁学性质的影响[J]. 原子与分子物理学报, 2011, 28(6): 1148-1154.[17]徐康. 二维材料应变调控下的电子输运研究[D]. 南京大学, 2018.[18]陈长乐. 固体物理学[M]. 北京: 科学出版社, 2007.
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