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1. 毕业设计（论文）的内容和要求
忆阻器（resistive random access memory，ReRAM）因其超快运行速度、微缩性好及功耗低等优点，成为最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。
柔性 ReRAM 器件具有可折叠、轻量化、可打印等诸多优点，多种不同类型的介质材料已广泛应用于柔性 ReRAM 器件之中，包括氧化物、有机物、二维材料等，根据产品应用需求可选择对应的介质材料体系。
本实验主要研究金属电极/有机介质层/金属电极，这种具有三明治结构的ReRAM的电学性能。
2. 实验内容和要求
1.掌握银纳米线（AgNW）、银纳米颗粒（AgNP）的制备方法，包括调节颗粒尺寸的合成参数，离心提纯的方法。
2.AgNW/AgNP-PVP/AgNW忆阻器器件的具体制备流程，包括改变颗粒尺寸、密度、有机介质层的厚度（改变旋涂速度），以及替换惰性电极。
3．测试器件的I-V特性，研究开关、阈值电压、抗弯曲、电荷存储保存时间等电学特性，学会参照文献，结合自己实验数据，从而进行分析，得出结论。
3. 参考文献
柔性忆阻器研究进展，孙博文，钱 凯，王卿璞，微纳电子与智能制造 1 （2019）76-86.2. Transient and exible polymer memristors utilizing full-solution processed polymer nanocomposites，Zhe Zhou et al. Nanoscale , 10 (2018) 14824. 3.A transparent flexible volatile memory with ultrahigh ON/OFF ratio and ultralowswitching voltage, Organic Electronics 82 (2020) 1057084.认真阅读我给大家的中文和英文文献，也可以在学校图书馆期刊网上下载。然后下面再添10多篇中文和英文文献,文献数量不少于15篇，注意书写格式注意：关于忆阻器的研究进展，请自己直接在学校的中国知网和万维网寻找，先从中文文献入手，在过渡到英文文献，这样对自己理解AgNW/AgNP-PVP的忆阻器会有很大的帮助
4. 毕业设计（论文）计划
起讫日期 设计（论文）各阶段工作内容 备 注20.12-21.01 阅读文献，了解柔性忆阻器的研究进展，翻译一篇英文文献，并撰写开题报告 21.02-21.03 实验室Ag纳米线可以直接使用，你重点是制备银纳米颗粒（不同颗粒大小和如何离心提纯），事先设计好实验，动手操作。
21.03-21.05 制备AgNW/AgNP-PVP/AgNW忆阻器器件，测试器件电学存储性能。
分析实验数据，获得Ag颗粒尺寸、密度、有机介质层的厚度对忆阻器性能的影响（这部分是重点，要多花时间）。
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