1. 毕业设计（论文）主要内容：
氮化镓(GaN)是第三代半导体的代表材料，因其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，适用于制造抗辐射、高频、大功率、高密度集成的电子器件。采用同质外延生长可以获得结晶质量优异的单晶材料。本论文将采用两种不同的同质外延工艺GaN单晶材料，并对其晶体结构和电学性能进行表征。
设计（论文）主要内容
1.文献调研，了解国内外相关研究概况和发展趋势，了解选题与社会、健康、安全、成本以及环境等因素的关系。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1．查阅不少于15篇相关文献资料，其中近5年英文文献不少于3篇，了解国内外相关研究概况和发展趋势，了解选题对社会、健康、安全、成本以及环境等的影响，完成开题报告；
2．完成不少于5000字的英文文献翻译；
3. 合成与制备的研究。采用两种同质外延工艺制备GaN单晶材料，对晶体的表面形貌及结构进行表征；
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容，了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告。
第4－8周：按照设计方案，进行GaN单晶材料的制备。
第8－12周：对样品进行结构和性能的表征。
4. 主要参考文献
[1]J.F. Wang, X.J. Hu, Y.M. Zhang, Y. Xu, H.B. Wang, B.S. Zhang, K. Xu [1], H. Yang:layers with in-situ optical monitoring[J].Journal of Crystal Growth,2009,311:3033-3036.
[2]J.K. Hite, T.J. Anderson, L.E. Lunet, J.C. Gallagher, M.A. Mastro, J.A. Freitas,C.R. Eddy Jr.: Influence of HVPE Substrates on Homoepitaxy of GaN Grown by MOCVD[J].Journal of Crystal Growth,2018,498:352-356.
[3]J.A.Freitas Jr, J.C.Culbertson, E.R.Glaser, E.Richter, M.Weyers, A.C.Oliveira, V.K.Garg: Journal of Crystal Growth[J]. HomoepitaxialHVPEGaN: A potential substrate for high performance devices, 2018, 500:111-116.
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