高熵合金扩散阻挡层的热稳定性任务书

 2022-01-18 08:01

全文总字数:3290字

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

本课题采用直流多靶磁控溅射镀膜技术,在单晶硅片上依次溅射NbMoTaW和Cu,并通过不同的退火温度处理,对各个退火温度阶段的样品进行表面及结构的分析,比如XRD、SEM、TEM等等,探究一定厚度的NbMoTaW阻挡层能阻挡铜和硅之间相互扩散的最高温度。

最后把整个研究内容写成毕业论文。

毕业论文的内容和要求如下:(1)在第一章文献综述部分,通过文献阅读和总结分析,给出如下内容:扩散阻挡层及高温高熵合金的基本信息、扩散阻挡层的发展历程、当前有哪些制备方法、最新的研究进展等,本课题拟开展的研究内容和预期目标。

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2. 实验内容和要求

根据毕业要求指点3.2、3.3和4.2,本课题要开展的实验内容和要求如下:(1)磁控溅射基础知识的学习和仪器的使用,选择合适的溅射功率和气压等工艺参数。

(2)结合现代分析技术,如XRD、SEM和TEM等,初步探讨表面铜薄膜的晶粒尺寸、整个体系的结构与退火温度的关系,并分析其带来的性能的变化。

(3)能够利用Origin软件对数据结果进行处理,深入分析结构变化,表面形貌变化,总结发现规律,对结果正确性和合理性进行分析和解释,获得相应结论。

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3. 参考文献

根据毕业要求指标点2.3、10.2的要求,毕业论文期间要进行研究现状调查与总结,要求在开题报告及毕业设计(论文)中涉及的文献不少于20篇,其中英文文献不少于5篇。以下是与本课题相关的部分文献列表,学生自己按需进行补充:[1]陈剑辉, 刘保亭, 赵冬月, 等. 硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究[J]. 材料导报:综述篇, 2010, 24(6) : 58-63.   

[2] Xiaobin Feng, Jinyu Zhang, Ziren Xia, et al. Stable nanocrystalline NbMoTaW high entropy alloy thin lms with excellent mechanical and electrical properties[J]. Materials Letters, 2018, 210: 8487.

[3]王翠萍, 戴拖, 卢勇, 等. Cu互连中V、V-N和V/V-N薄膜的扩散阻挡性能[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2016, 55(6) : 810-814.

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4. 毕业设计(论文)计划

设计(论文)各阶段工作内容2021.1.6-2021.2.28 查阅文献,充分了解课题背景,完成开题报告,翻译外文资料。

2021.2.28-2021.3.5 确定实验方案,基本掌握实验设备操作。

2021.3.5-2021.5.25 根据实验方案开展直流磁控溅射技术制备NbMoTaW高熵合金扩散阻挡层的体系和工艺研究。

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