基于0.18μM CMOS工艺Bandgap设计任务书

 2023-01-08 10:01

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

带隙基准Bandgap工作在在1.8V电源电压, -40 ℃~125 ℃的范围内, 实现温度系数为8.46ppm/℃。

低频段PSRR(电源抑制比)达到 -90dB,同时中频段和高频段的PSR(抗电源噪声)能力大大加强。

2. 实验内容和要求

任务内容: 本论文设计的Bandgap带隙基准采用TSMC CMOS 0.18μm工艺,该带隙基准由基本温度补偿单元、运放以及启动电路组成。

要求: (1)提交基于0.18uM COMS工艺Bandgap设计毕业论文方案;(2)提交基于0.18uM COMS工艺Bandgap设计毕业论文论文报告。

3. 参考文献

[1]. 赵强. CMOS带隙基准电压源的设计研究[D]. 合肥工业大学, 2012

[2]. 吴夏妮.带隙基准电路的研究.复旦大学,2007

[3]. Phillip E.Allen , Douglas R.Holberg著,冯军,李志群译.CMOS 模拟集成电路设计(第二版).北京:电子工业出版社,2011.1:15-16

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4. 毕业设计(论文)计划

4月5日-4月15日熟悉Candace操作环境,复习论文所需要的模拟电路的知识。

4月16日-4月25日完成总体方案设计,程序设计与分析,模块测试测试与调试。

4月26日-5月5日撰写论文说明书,准备论文答辩。

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