1. 毕业设计（论文）主要内容：
MoS2作为窄带隙p型半导体材料在光电转换以及催化等领域具有重要的应用前景。
单层MoS2是直接带隙半导体（1.9 e V）,带隙处于可见光范围内,可以作为光电转换的材料。
二维MoS2中出现了与谷自由度相关的物理效应，例如谷轨道耦合、带电激子的谷霍尔效应、谷选择光学斯塔克效应等，这显示出二维MoS2在谷电子学方面具有很大的应用潜力。
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2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1、查阅不少于15篇的相关资料，其中英文文献不少于3篇，完成开题报告。
2、熟悉第一性原理计算方法。
3、计算掺杂、缺陷、压力对MoS2光电特性的影响。
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，了解研究所需文献。确定方案，完成开题报告。
第4－6周：查阅参考文献，掌握MoS2原包的建立。
第7－9周：掌握第一性原理计算软件。
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4. 主要参考文献
[1]周彦峰，层状MoS2场效应管光电特性的第一性原理研究[D]，深圳大学硕士学位论文，
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