1. 毕业设计（论文）主要内容：
Bi-Te基硫系化合物具有丰富的物理化学内涵，是一类重要的半导体材料，在热学、电学、磁学和自旋电子学等领域都有着重要的应用。
近几年，理论和实验研究揭示了Bi2Te3具有体内存在带隙、表面无带隙的特殊电子结构，低维的Bi2Te3纳米材料，能够有效降低体载流子浓度，凸显出表面电子态的贡献。
本论文主要工作从材料制备工艺出发，利用气-固法生长厚度为纳米级的Bi2Te3二维纳米结构，并通过调控工艺参数，研究温度、压强、气氛等对该二维纳米结构的成分、形貌和微结构的调控机制，从而获得高度可控的生长工艺。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1. 阅读二维纳米材料相关书籍，查阅物理方法生长二维Bi2Te3纳米结构的文献资料（不少于15篇，其中英文不少于5篇），并翻译其中一篇英文文献（不少于5000字）。
2．独立完成开题报告，并提交文献综述报告（不少于3000字）；参考文献不少于10篇，其中外文不少于2篇）。
3．熟悉RTP快速升温真空管式炉的使用方法，利用气-固法生长Bi2Te3纳米结构。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容和计划安排，熟悉制备和测试设备、准备实验原材料；确定方案，完成开题报告。第4-6周：气-固法生长Bi2Te3纳米片的基本工艺探索。
第7-8周：研究改变升温速率、生长温度、Ar气流量、压强参数等的制备工艺。
第9-11周：研究工艺参数对Bi2Te3纳米结构形貌的影响，分析相应的生长机理。
4. 主要参考文献
[1] Liu et al., Synthesis of single-crystalline topological insulator Bi2Se3 nanomaterials with various morphologies, J. Nanopart. Res., 2014, 16:2226.
[2] Jin Seok Lee et al. Vapor–Liquid–Solid and Vapor–Solid Growth of Phase-Change Sb2Te3 Nanowires and Sb2Te3/GeTe Nanowire Heterostructures, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130(19).
[3] Hongtao Yuan et al. Two-dimensional layered chalcogenides: from ratoinal synthesis to property control via orbital occupation and electron filling, Acc. Chem. Res. 2015, 48, 81-90.
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