1. 毕业设计（论文）主要内容：
在非磁性半导体材料中，由非均匀性导致的磁阻效应（IMR）引起了人们的极大关注。本论文研究样品表面氧化层、电极的类型对于GaSb基半导体雪崩效应和磁阻的影响。具体方法采用改变样品氧化层厚度，蒸镀不同类型电极来达到改变电极势垒结构的目的。通过外加磁场研究电极结构、温度、磁场和电流大小等因素对雪崩效应以及低场磁阻的影响规律。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1．阅读自旋电子学等相关书籍，查阅有关IMR方面的文献资料（不少于15篇，其中英文不少于5篇），并翻译其中部分英文文献（不少于5000字）。
2．独立完成开题报告，并提交文献综述报告（不少于3000字；参考文献不少于10篇，其中外文不少于5篇）。
3．熟悉电子束蒸发以及低温霍尔测量系统，制备出有关的样品，并进行磁阻测量。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，熟悉制备和测试设备。完成开题报告。
第4－7周： 准备实验原材料；制备基于GaSb基的磁阻器件。
第8－11周： 温度、磁场等条件对器件的电输运性能、磁阻效应的影响的研究。
4. 主要参考文献
[1] S. A. Solin,Tineke Thio,D. R. Hines,andJ.J.Heremans, “Enhanced room-temperature geometric magnetoresistance in inhomogeneous narrow-gap semiconductors,” Science 289,1530–1532 (2000).[2] 伍国钰. 半导体器件完全指南[M]. 李秋俊，冯世娟（译），科学出版社. 2009
[3] C. Ghezzi, R. Magnanini, A. Parisini, and M. Longo, Nonlinear electric field effects in the magnetoresistance of n -type GaSb, Journal of Applied Physics 99, 123709 (2006)
[4] C. Ghezzi, R. Magnanini, and A. Parisini, Negative magnetoresistance effects in metallic n -type GaSb, Journal of Applied Physics 102, 063707 (2007)
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