1. 毕业设计（论文）主要内容：
基于硅基GaN功率器件设计制作一款ESD保护器件，测量结果通过Sentaurus仿真实现。
要求仿真结果为所设计ESD保护器件能承受人体模型（HBM）下的1KV的电压，通过承受的二次击穿电流（It2）大于0.67A来显示。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1、查阅不少于15篇的相关参考文献，其中外文文献5篇以上，近五年参考文献5篇以上。
2、学习硅基GaN功率器件以及静电放电可靠性的基础知识。
3、掌握硅基GaN器件的ESD特性，并能够在Sentaurus仿真软件上通过器件结构的调整来提高硅基GaN器件的鲁棒性。
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，了解本课题研究所需的理论知识，初步确定设计方案，撰写开题报告。
第4-7周：对所制定的毕业设计进行系统的模块分类，并对各个模块的基础原理知识进行学习，对各个模块之间的联系进行学习，能够对整个设计的原理知识进行一个比较详细的了解。即对硅基GaN功率器件的认识，对静电放电可靠性的学习，对硅基GaN器件的ESD特性的学习。
第8-12周：对已经完成的基础原理的基础上用Sentaurus仿真对器件结构进行调整，提高硅基GaN器件的鲁棒性。
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4. 主要参考文献
1、陈协助. 基于AlGaN/GaN异质结的ESD防护器件研究[D]. 2016.
2、施媛媛. 硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究[D].电子科技大学,2019.
3、张安邦. 硅基AlGaN/GaN功率二极管研究[D].电子科技大学,2019.
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