全桥逆变器中GaN功率器件特性研究与验证任务书

 2021-08-23 12:08

1. 毕业设计(论文)主要内容:

随着电力电子技术的快速发展,用户对电力电子变换器性能的要求也日益提升。为了提供电力电子变换器的性能,采用宽禁带器件代替传统硅基器件是一种有效的方法。在宽禁带半导体器件中,氮化镓(GaN)器件具有许多传统硅器件所不具备的优异性能,在电力电子变换中具有广阔的应用前景。为此,本课题拟采用GaN功率器件设计一款全桥逆变器,以提升逆变器的开关频率及效率等性能,并搭建样机进行实验验证。具体研究内容包括:

1. 学习并分析GaN器件特性及其工作原理;

2. 掌握全桥逆变器工作原理,分析会对GaN器件的使用产生影响的因素;

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1. 通过本课题的训练,培养学生动手能力、分析问题及解决问题的能力;

2. 翻译与本课题相关的英文资料;

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

1-2周,查阅资料,外文翻译,完成开题答辩;

3-5周,熟悉GaN器件特性及全桥逆变器的工作控制原理;

6-7周,针对选用GaN器件及控制方案搭建模型进行仿真验证;

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4. 主要参考文献

[1] 陈坚. 电力电子学—电力电子变换和控制技术. 北京:高等教育出版社,2002

[2] 于宁,王红航,刘飞飞,杜志娟,王岳华,宋会会,朱彦旭,孙捷. GaN HEMT器件结构的研究进展[J]. 发光学报. 2015(10)

[3] 周洁敏,编著.开关电源理论及设计[M]. 北京航空航天大学出版社, 2012

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