全文总字数：1378字
1. 毕业设计（论文）主要内容：
相较于硅材料，碳化硅材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿场强及更高的热传导率。与同等硅器件相比，碳化硅MOSFET具有更小的结电容和导通电阻，可以实现10 倍以上的开关速度。因此，基于碳化硅器件的电力电子系统往往有更高的系统效率和功率密度。而碳化硅器件极快的开关速度对因封装、布线及应用电路引起的寄生参数和器件自身的结电容等非常敏感,极易发生开关振荡、串扰以及驱动失效等问题,给高密度、大功率场合下的应用带来挑战。分析碳化硅MOSFET应用电路中开关振荡和串扰的产生机理，设计碳化硅MOSFET的驱动电路。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
1．查阅相关文献，不少于15篇，其中英文至少3篇；翻译相关外文资料英文字符不少于15000个。了解碳化硅Mosfet驱动电路设计国内外研究现状，认真撰写开题报告。
2．碳化硅MOSFET应用电路中开关振荡和串扰的产生机理，设计碳化硅Mosfet驱动电路，进行参数计算、仿真验证。
3．撰写论文。论文正文字数不少于15000字。设计图纸不少于3张。
3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
第1-2周，查阅相关文献资料；
第3-4周，撰写开题报告，
2020年3月20日前，上传开题报告；每三周上传一次阶段性成果；
4. 主要参考文献
[1] Zhang Z, Dix J, Wang F, et al. Intelligent Gate Drive for Fast Switching and Cross-Talk Suppression of SiC Devices[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2017, PP(99):1-1.
[2] Jorge Garcia, Sara Saeed, Emre Gurpinar, Alberto Castellazzi, Pablo Garcia. Self-Powering High Frequency Modulated SiC Power MOSFET Isolated Gate Driver [J], IEEE Transactions on Industry Applications, 2019, 55(4): 3967-3977.
[3] 王旭东, 朱义诚, 赵争鸣,等. 驱动回路参数对碳化硅MOSFET开关瞬态过程的影响[J]. 电工技术学报, 2017, 32(13):23-30.
以上是毕业论文任务书，课题毕业论文、开题报告、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
