硅纳米线的制备与光催化特性研究任务书

 2021-10-24 03:10

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

硅是重要的半导体材料,近年来,其一维硅纳米材料由于与现有的硅加工工艺具有良好的兼容性,可用于集成的硅基纳米器件的设计,而越来越受到人们的

关注。虽然采用无电极的化学刻蚀方法(MACE)制备出的硅纳米线,具有光催化特性。但是其效率是非常低的。所以如何提高硅纳米线的光催化性能,越来越受到研究者的关注。

本论文旨在阅读大量文献的基础上,概述Si纳米线的研究进展,包括制备方法,应用领域。结合文献中化学刻蚀方法制备出的Si纳米线,再在其上制备银纳米颗粒,利用表面等离激元效应,增强纳米线的太阳光吸收能力,从而提高光催化(特别是降解有机污染物,比如甲基橙,甲基蓝等)性能。

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2. 参考文献

1. Compositestructure of SiO2@AgNPs@p-SiNWs for enhanced broadband optical antireflection ,Ren Lu, et al.Optical Express 21, 17484-17491(2013)

2. 硅纳米线阵列的制备及其光电应用,刘莉, 等,化学进展,25,248(2013)。

3. 硅纳米线阵列与银纳米结构的制备及其SERS研究,吴永宽, 大连理工大学博士学位论文(2012)。

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