1. 毕业设计（论文）主要目标：
本文向单层石墨烯导入三种缺陷，通过计算得出各缺陷的形成能。本文选择了形成能最低的STW缺陷进行研究。本文通过计算得出有STW缺陷的石墨烯的何种吸附在实际情况下更有可能发生。将会进行三种不同吸附的讨论，分别是：物理吸附，化学吸附和解离性吸附，并且还要讨论吸附能的问题。通过计算对已有的实验结论进行证实。并且对伴随着实际发生吸附而产生的能带结构的变化进行调查。
2. 毕业设计（论文）主要内容：
1. 利用第一性原理计算程序VASP研究石墨烯的三种缺陷的形成能
2. 利用第一性原理计算程序VASP研究有缺陷的单层石墨烯的三种不同吸附
3. 尝试从理论角度理解有缺陷的单层石墨烯的导电率对氧气环境的依赖性
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3. 主要参考文献
[1] K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos,I.V. Grigorieva, A.A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
[2] F. Schedin, A.K. Geim, S.V. Morozov, E.W. Hill, P. Blake, M.I. Katsnelson,K.S. Novoselov, Nature Mater. 6, 652 (2007).
[3] Y. Yang, R. Murali, Appl. Phys. Lett. 98, 093116 (2011).
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