全文总字数：2269字
1. 毕业设计（论文）的内容和要求
近年来，二维材料因其特殊的光电特性引发人广泛关注。
具有本征自旋自由度的过渡金属二硫化物在自旋电子器件和价电子器件中具有巨大的应用潜力。
其中二硫化钼在布里渊区具有两个不等价的能谷，每个能谷与圆偏振光子选择性耦合。
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2. 实验内容和要求
无实验
3. 参考文献
[1] K. F. Mak, K. L. Mcgill, J. Park, and P. L. Mceuen, The valley hall effect in mos2 transistors, Science 344, 14891492 (2014).
[2] M. Eginligil, B. Cao, Z. Wang, X. Shen, C. Cong, J. Shang, C. Soci, and T. Yu, Dichroic spin-valley photocurrent in monolayer molybdenum disulphide, Nature Communications 6, 7636 (2015).
[3] Q. Zhang, S. A. Yang, W. Mi, Y. Cheng, and U. Schwingenschlgl, Large spin-valley polarization in monolayer mote2 on top of euo(111), Advanced Materials 28, 959966 (2015).
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4. 毕业设计（论文）计划
2021年3月 完成开题报告文献调研和翻译2021年4-5月 完成相关模拟计算2021年6月 完成论文和答辩
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