III族氮化物发光二极管量子限制斯塔克效应实验研究任务书

 2021-08-20 12:08

1. 毕业设计(论文)主要目标:

近年来, 由于GaN基发光二极管(light emitting diode, LED)具有发光效率高、响应时间短、光 谱可调范围大、材料无污染、节能环保等诸多优势, 日益受到人们的广泛关注, 并且其应用领域大大扩 展, 涵盖了室内照明、交通信号灯、汽车灯具、全彩 色显示器等诸多领域[1]. 世界各国都在大力支持 和推广高亮度LED的研发和应用.为了进一步拓宽 LED 的应用领域, 需要研制功率更高、效率更高、 成本更低的LED.

LED在发光过程中会产生量子限制斯塔克效应,一般情况下该效应会降低电子-空穴复合几率,从而导致器件发光效率下降,对发光器件非常不利。

因此弄清限制量子斯塔克效应的产生原因及条件,以及对LED影响的具体过程,对提升LED的发光效率等方面有着重要的意义。我们可以在现有的技术手段的支持下,尝试降低通常情况下该效应对于LED工作的影响。甚至利用这种效应改善LED的工作效能。

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2. 毕业设计(论文)主要内容:

发光二极管的历史及发展现状。

三族氮化物材料及其极性的说明。

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3. 主要参考文献

[1] Crawford M H 2009 IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 15 1028

[2] Chen W C, Tang H L, Luo P, Ma W W, Xu X D, Qian X B, Jiang D P, Wu F, Wang J Y, Xu J 2014 Acta Phys. Sin. 63 068103 (in Chinese) [陈伟超, 唐惠丽, 罗平, 麻尉 蔚, 徐晓东, 钱小波, 姜大朋, 吴锋, 王静雅, 徐军 2014 物理 学报 63 068103]

[3] Fenwick W E, Andrew M, Xu T M, Li N, Summers C, Jamil M, Ferguson I T 2009 Appl. Phys. Lett. 94 222105

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