硅衬底上GaN基LED器件研究任务书

 2021-08-19 11:08

1. 毕业设计(论文)主要目标:

1.掌握GaN特性及制备方法;

2.掌握Si衬底GaN基LED的结构特征、工作原理、制备方法;

3.分析Si(111)和Si(110)衬底上GaN基LED器件的电致发光谱等光电特性。

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2. 毕业设计(论文)主要内容:

主要研究Si衬底上GaN基LED的光电特性,主要内容包括GaN的物化性质,GaN基LED的光电特性,Si衬底GaN基LED的发光效率的影响因素(包括斯塔克效应,电极分布形式,生长温度等)进行讨论。

主要研究方法为对该器件的伏安特性曲线,变温光致发光谱,不同激光功率的光致发光谱,不同电流下电致发光谱等实验数据进行分析计算,并通过拟合得到相应发光峰值数据,对其光电特性进行详细研究。

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3. 主要参考文献

[1] 刘战辉. 氢化物气相外延GaN材料性质研究[D]. 南京: 南京大学, 2012

[2] Chih-Yen Chen, Zhan Hui Liu, Chun-Han Lin, et al.Strain reduction and crystal improvement of an InGaN/GaN quantum-well light-emitting diode on patterned Si (110) substrate[J],Appl. Phys. Lett., 2013, 103(14): 141914-1-4.

[3] R. A. Logan and C. D. Thurmond, Heteroepitaxial thermal gradient solution growth of GaN [J]. J. Electrochem. Soc., 1972, 119(12): 1727-1735.

[4] Zuhair A. Munir and Alan W. Searcy, Activation Energy for the Sublimation of Gallium Nitride [J]. J. Chem. Phys., 1995, 42(12): 4223-4228.

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