单晶半导体和绝缘体二次电子发射及其应用任务书

 2021-08-20 01:08

1. 毕业设计（论文）主要目标：

1. 了解了半导体与绝缘体二次电子发射的物理过程，影响因素及其应用领域。

2. 了解电子亲和势，真空度，最大二次发射系数，原电子入射能量的物理意义。

3. 设计实验方法对MSI特性参数进行测量，研究测量MSI表面势垒的方法。

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2. 毕业设计（论文）主要内容：

1. 推导并证明单晶半导体与绝缘体（MSI）在χ≥0.6eV且Eg≥0.6 eV条件下的δms(χ, Eg) , Epoms(χ, Eg) , B (χ, Eg) 与 λ(χ, Eg)s的公式。

2. 探究运用推导的δms(χ, Eg)公式计算χ和用Epoms(χ, Eg) 推导公式计算χ的方法。

3. 利用推导公式研究真空度对χreal对二次电子发射参数（SEE）表征MSI表面状态进行定量分析探究。

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3. 主要参考文献

  • 林祖伦，王小菊.阴极电子学[M].北京：国防工业出版社，2013：218-249.
  • A. G. Xie, Y.Yu, Y. Y. Chen et al., Surf. Rev. Lett.(https://ssl1230a75e822c6f3334851117f8769a30e1c.vpn.nuist.edu.cn/10.1142/S0218625X18501810) (2018).
  • A. G. Xie, K. Zhon, D. L. Zhao, et al., Mod. Phys. Lett.B. 31(2017) 1750105.
  • A. G. Xie, M. Lai, Y. L. Chen, et al., Nucl. Sci. Tech. 28(2017)141.
  • M. El Marsi, R. Moultif, S. Lahlou et al., Nucl. Instr. and Meth. B. 430(2018)72.
  • A. M. Capece, M. I. Patino, Y. Raitses et al., Appl. Phys. Lett. 109(2016)011605.
  • B. Koo, K. Bader, U. Burkhardt et al., J. Phys. Condens Matter. 30 (2018) 045601.
  • H. Seiler, J. Appl. Phys. 54 (1983) R1.

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