半绝缘GaAs的欧姆接触工艺与光敏电阻性能研究任务书

 2023-04-13 09:29:06

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

了解欧姆接触工艺、脉冲激光沉积的原理,砷化镓欧姆接触电极的制备以及拉曼光谱分析其非晶结构及光敏电阻特性。

制作出新型的光敏电阻器件。

2. 实验内容和要求

内容: (1)查阅相关资料,了解欧姆接触工艺、脉冲激光沉积原理; (2)半绝缘砷化镓欧姆接触电极的制备; (3)分析该样品的非晶碳膜结构及光敏电阻特性。

要求:(1)了解脉冲激光沉积的原理;(2)掌握半绝缘砷化镓欧姆接触电极的制备方法。

3. 参考文献

【1】 砷化镓,中国化工制造网 [引用日期2012-11-29];【2】刘文超,夏冠群,难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[D],上海:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,2005。

4. 毕业设计(论文)计划

第一阶段 收集、查阅与设计相关的资料,制备和测试分析样品(3月份)第二阶段 完成初稿(4月份-5月上旬)第三阶段 修改论文初稿(5月中旬)第四阶段 最终定稿, 准备答辩材料,参加论文答辩(5月下旬)

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