基于碳化硅器件的T型三电平逆变器研究与设计任务书

 2022-01-09 06:01

全文总字数:1564字

1. 毕业设计(论文)主要内容:

第三代功率半导体碳化硅SiC(silicon carbide)具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点,能显著提高功率变换器的效率、功率密度和可靠性。T型三电平逆变器能改善逆变器输出电压波形,基于碳化硅器件的T型三电平逆变器具有低输出谐波、低共模电压及高开关频率等特性。本课题主要研究碳化硅功率开关器件的特性,分析T型三电平逆变器的工作原理,完成基于碳化硅器件的T型三电平逆变器的设计。

2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1、研究碳化硅功率开关器件的特性;分析T型三电平逆变器的工作原理;

2、设计基于碳化硅T型三电平逆变器;研究T型三电平逆变器调制算法;完成基于MATLAB的T型三电平逆变器SVPWM仿真;

3、翻译与课题相关的外文文献,不少于2万印刷符,译文无原则性错误;

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第1~2周:查阅文献,翻译外文资料,初步确定设计方案;

第3~4周:确定最终方案,进行可行性分析,并完成开题报告;

第5~7周:完成T型三电平逆变器的设计工作;

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4. 主要参考文献

[1] Shi Y, Wang L, Xie R, et al. A 60kW3kW 5-Level T-Type SiC PV Inverter with99.2% Peak Efficiency. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017,64(11):9144-9154.

[2] Anthon A, Zhang Z, Andersen M A E, et al.The Benefits of SiC mosfets in a T-Type Inverter for Grid-Tie Applications[J].IEEE Transactions on Power Electronics, 2017, 32(4):2808-2821.

[3] Mario Schweizer, Johann W. Kolar. Designand Implementation of a Highly Efficient Three-Level T-Type Converter forLow-Voltage Applications. IEEE Trans. on Power Electronics, 28(2): 899-907.

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