砷化镓中广延缺陷的拉曼光谱超扩散成像任务书

 2021-11-23 09:11

1. 毕业设计(论文)主要内容:

1)通过PL光谱成像技术检测GaInP/GaAs/GaInP双异质结样品中的广延缺陷;

2)对GaAs广延缺陷进行拉曼测试,基于LO声子-等离子体激元耦合模的拉曼散射实现广延缺陷超扩散成像,并进行理论分析;

3)将光致发光和拉曼散射两种测试方法相结合,分析砷化镓广延缺陷区域电子和空穴浓度的分布。

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1、查阅不少于15篇的相关资料,其中英文文献不少于3篇,完成开题报告。

2、熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识,掌握显微拉曼光谱系统的操作方法。

3、根据设计内容要求,采用PL光谱成像技术检测砷化镓中的广延缺陷,基于LO声子-等离子体激元耦合模的拉曼散射实现广延缺陷超扩散成像,并进行理论分析。

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

1-3周:查阅相关文献资料,明确研究内容,熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识。确定设计方案,完成开题报告。

4-8周:采用PL光谱成像技术检测砷化镓中的广延缺陷,基于LO声子-等离子体激元耦合模的拉曼散射实现广延缺陷超扩散成像,并进行理论分析。

9-12周:将光致发光和拉曼散射两种测试方法相结合,分析砷化镓广延缺陷区域电子和空穴浓度的分布。

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4. 主要参考文献

[1] 吕恒,胡昌奎. 砷化镓中广延缺陷的光致发光研究[J].人工晶体学报, 2018,47(8):1529-1534

[2] Changkui Hu, QiongChen, Fengxiang Chen, et al. Overcoming diffusion-related limitations insemiconductor defect imaging with phonon-plasmon-coupled mode Ramanscatterin[J]. Light: Science Applications, 2018,7:23-30

[3] Fengxiang Chen,Yong Zhang, T. H. Gfroerer,et al. Spatial resolution versus data acquisitionefficiency in mapping an inhomogeneous system with species diffusion[J].Scientific Reports, 2015,5:10542.

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