全文总字数：1070字
1. 毕业设计（论文）主要内容：
电容-电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用CV测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。要求总结研究现有半导体器件的CV测量方案，并在此基础上设计新的测量方案。
2. 毕业设计（论文）主要任务及要求
(1) 参考文献不少于15篇（其中近5年外文文献不少于3篇)；完成开题报告。
(2)学习半导体器件CV测量的基本原理，了解半导体器件CV测量的重要性。
(3)总结现有半导体器件CV测量的技术方案。
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3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排
(1) 第1周—第3周搜集资料，撰写开题报告；
(2) 第4周—第5周论文开题；
(3) 第6周—第12周撰写论文初稿；
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4. 主要参考文献
[1]蔡涛,段善旭,康勇.半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展[J].激光与光电子学进展,2008(06):51-58.
[2]王维,张金山,陈静.电力半导体器件热阻及测量[J].信息技术,2000(06):25-28.
[3]冯士维,谢雪松,吕长志,张小玲,何焱,沈光地.半导体器件热特性的电学法测量与分析[J].半导体学报,1999(05):7-13.
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