SnSe中空位缺陷的正电子湮没研究任务书

 2021-11-07 09:11

1. 毕业设计(论文)主要目标:

制备不同化学元素比的SnSe多晶体,完成测量样品制备以及Seebeck系数、电导率等实验数据测量。

通过正电子湮没技术研究正电子在SnSe中的湮没情况以获得缺陷的大小和类型。

在不同温度下对SnSe样品退火,研究SnSe中正电子湮没的情况,同时测量其Seebeck系数、电导率等实验数据,得到缺陷和热电性能随温度变化的实验结果。

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2. 毕业设计(论文)主要内容:

一、SnSe的性能及其相关介绍,国内外研究现状。

二、制备不同化学元素比的SnSe样品,熔融后进行研磨压片,测量其Seebeck系数、电导率等数据。

三、利用正电子湮没技术研究不同温度退火的SnSe缺陷种类。

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3. 主要参考文献

[1]吕帅.硒化锡基热电材料的制备及性能优化[D].云南:昆明理工大学,2018.

[2]樊少娟.正电子湮没技术对金属绝缘体转变相关的材料变相机制及物理特性的研究[D].安徽:中国科学技术大学,2015.

[3]曹兴忠,宋力刚.正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展[J].物理学报,2017,66(02):29-42.

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