1. 毕业设计（论文）主要目标：
根据原电子射程R、二次电子发射系数δ的参数之间的关系与负电子亲和势（NEA）半导体二次电子发射的过程和特性，分别推导出原电子入射能量范围为0.1 keV≤Ep≤10keV和10keV≤Ep≤100keV的负电子亲和势（NEA）半导体的二次电子发射系数的通式; Ep是原电子的入射能量。根据5keV≥Epmax≥2keV的NEA半导体的SEE特性，NEA半导体特性和实验数据推导出了在0.1keV≤Ep≤10keV和10keV≤Ep≤100keV条件下δ的通用公式，，对于在10Epmax≥Ep≥0.5处的特殊公式δ，推导出5keV≥Epmax≥2keV的几个NEA半导体的Epmax，并且分别证明是真实的;其中Epmax是δ达到最大二次电子产额的Ep。
2. 毕业设计（论文）主要内容：
根据原电子射程R ，SEE参数公式和NEA半导体SEE的工艺和特性公式，分别推导出NEA半导体在0.1keV≤Ep≤10keV和10keV≤Ep≤100keV的δ的通用公式。根据假设：10Epmax≥Ep≥0.5EpmaxNEA半导体的的K（Ep，ρ，Z）近似等于5keV≥Epmax≥2keV的K（Ep，ρ，Z）C，R，分别推导出0.1keV≤Ep≤10keV，10keV≤Ep≤100keVδ的通式和实验数据，10Epmax≥Ep≥0.5时δ的特殊公式，5keV≥Epmax≥2keV的NEA半导体的Epmax;其中ρ和Z分别是材料密度和原子序数。推导出的特殊公式可以用来计算5keV≥Epmax≥2keV的相应NEA半导体的10Epmax≥Ep≥0.5Epmax处的δ。推导出5keV≥Epmax≥2keV的NEA半导体B的计算公式，可以计算出B的计算公式，计算5keV≥Epmax≥2keV的NEA半导体的1 /α是合理的;其中B是内部二次电子在到达发射极表面时逸出真空的概率，1 /α是二次电子的平均逸出深度。
3. 主要参考文献
[1] T. Yamada, T. Masuzawa, H. Mimura et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 045102(2016).
[2] K. M. O’Donnell, M.T. Edmonds, J. Ristein et al, J. Phys.: Condens. Matter 26,395008(2014).
[3] J. E. Yater, A. Shih, J. Appl. Phys. 87, 8103(2000).
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